中部空品區臭氧空氣品質與跨區域傳輸機制探討

摘要:
本研究利用整合完成之空氣品質模擬系統探討中部空品區臭氧空氣品質不良之可能原因，並輔以數值實驗之安排計算跨區域傳送之污染物對中部空品區污染之貢獻。
由研究結果顯示，高臭氧污染事件之形成，氣象條件扮演相當重要的角色。由綜觀天氣分析與逆軌跡方法計算氣團行徑之結果可以了解，臭氧高污染事件發生日(2004 年4 月28 至30 日)天氣穩定，氣塊僅在局部地區運動且有沉降趨勢，是有利於污染物累積之氣象條件。另一方面，由氣團老化指標計算(NOz/NOy)與高臭氧濃度模擬之空間分佈描述上可以說明，污染源區多呈現新鮮之氣團分佈，這也說明此處之污染物濃度多來自化學反應之貢獻，下風區與郊區則多為老舊氣團所盤據，間接說明此處之污染物濃度貢獻部份為傳輸效應所影響。由28 至30 日的模擬結果配合老化氣團指標之計算顯示，28日開始增加之臭氧濃杜，隨著天氣系統更趨穩定，其平均生命週期將可能有1 至2 天。
臭氧之其他空品區外移入污染貢獻有地理區位之差異。在中部空品區之中心部份臭氧之區外移入貢獻約30%且由中心向外遞增，在都會區邊緣約50%左右，更往中部空品區外緣則高達75%以上。另一方面，臭氧光化反應為一非線性化學反應，其濃度貢獻比例與空間分佈不但取決於前驅物濃度比例與絕對量，也取決當時大氣中臭氧之含量。由本研究結果可以說明這樣的非線性化學反應分佈情況於郊區與都會區有較為明顯之變化。

參考文獻 :
1.詹長權等，2008:台灣地區光化學污染之形成、傳輸機制及其影響，行政院環保署九十七年度專案計畫。
2.張時禹等，2005：中部空品區臭氧空氣品質不良與跨區域傳送關係探討，行政院環保署九十四年度專案計畫。
3.程萬里等，2005：中部空品區臭氧空氣品質水平與垂直分佈之監測分析，行政院環保署九十四年度專案計畫。
4.張時禹等，2004：台灣地區光化學污染之形成、傳輸機制及其影響， 行政院環保署九十三年度專案計畫。
5.張艮輝、謝祝欽，1999：台北縣光化學污染管制策略研究，台北縣環保局。
6.尹鍾奇，1994：實用大地測量學，國彰出版社。

高科技業有關氯化合物之物質建康風險探討

我國電子業一直都是政府政策性開發與輔導的優勢產業。在我國眾多電子業當中，又以半導體、光電業亦是高科技產業表現最為亮麗。然而近年來由於電子業在國內蓬勃發展，相關業者在不斷增建新廠、擴增產能的效應下，製程處理後所排放的空氣污染物相對於環境造成的危害，亦不容忽視。

高科技業的蝕刻製程可分為溼式和乾式蝕刻兩類。溼式蝕刻又稱化學蝕刻，主要是以化學溶液化學來進行反應以達到蝕刻的效果﹔乾式蝕刻則以鈍態或反應性氣體來進行蝕刻，其間夾雜化學反應與物理方式的離子撞擊效果。

乾蝕刻通常是一種電漿蝕刻(plasma etching)，電漿蝕刻中的蝕刻的作用，利用電漿中離子撞擊晶片表面的物理作用或者可能是電漿中活性自由基(Radical)與晶片表面原子間的化學反應，甚至亦有可能是這兩者的複合作用。

乾蝕刻製程中使用氯氣進行反應，機台反應後尾氣經由燃燒式Local scrubber處理後，氯氣化合物會衍生例如氯乙烯、三氯乙烯、四氯乙烯、四氯化碳、三氯甲烷、二氯甲烷等物質。氯化合物濃度不高，對於人員健康風險確是值得探討。

1. 國科會/環保署科技合作研究計劃，1999，揮發性有機氯化物對呼吸道毒性作用之研究，

2.工業污染防治技術手冊，1995，有機溶劑污染控制，經濟部工業局。

3. 張秋貴，應用實驗設計法調整蝕刻製程程式以改善晶圓允收測試之接觸窗阻電性之研究，中原大學研究碩士論文，民國92年

4. 張書豪，張木彬 (1999)，「科學園區空氣污染排放特性之探討」， 國立中央大學環境工程學刊，第六期，215-228。

5.蘇茂豐 (2003)，「國內半導體製造業及光電業之產業現況、製程廢氣污染來源與排放特性」。經濟部環境技術e報第3期。