高科技業有關氯化合物之物質建康風險探討

我國電子業一直都是政府政策性開發與輔導的優勢產業。在我國眾多電子業當中，又以半導體、光電業亦是高科技產業表現最為亮麗。然而近年來由於電子業在國內蓬勃發展，相關業者在不斷增建新廠、擴增產能的效應下，製程處理後所排放的空氣污染物相對於環境造成的危害，亦不容忽視。

高科技業的蝕刻製程可分為溼式和乾式蝕刻兩類。溼式蝕刻又稱化學蝕刻，主要是以化學溶液化學來進行反應以達到蝕刻的效果﹔乾式蝕刻則以鈍態或反應性氣體來進行蝕刻，其間夾雜化學反應與物理方式的離子撞擊效果。

乾蝕刻通常是一種電漿蝕刻(plasma etching)，電漿蝕刻中的蝕刻的作用，利用電漿中離子撞擊晶片表面的物理作用或者可能是電漿中活性自由基(Radical)與晶片表面原子間的化學反應，甚至亦有可能是這兩者的複合作用。

乾蝕刻製程中使用氯氣進行反應，機台反應後尾氣經由燃燒式Local scrubber處理後，氯氣化合物會衍生例如氯乙烯、三氯乙烯、四氯乙烯、四氯化碳、三氯甲烷、二氯甲烷等物質。氯化合物濃度不高，對於人員健康風險確是值得探討。

1. 國科會/環保署科技合作研究計劃，1999，揮發性有機氯化物對呼吸道毒性作用之研究，

2.工業污染防治技術手冊，1995，有機溶劑污染控制，經濟部工業局。

3. 張秋貴，應用實驗設計法調整蝕刻製程程式以改善晶圓允收測試之接觸窗阻電性之研究，中原大學研究碩士論文，民國92年

4. 張書豪，張木彬 (1999)，「科學園區空氣污染排放特性之探討」， 國立中央大學環境工程學刊，第六期，215-228。

5.蘇茂豐 (2003)，「國內半導體製造業及光電業之產業現況、製程廢氣污染來源與排放特性」。經濟部環境技術e報第3期。