本研究以現有不同乾式化學吸收技術(Dry scrubber)，對低壓化學氣相沉積製程(Chemical Vapor Deposition LPCVD)尾氣排放毒性氣體處理的效果，並分析不同吸收劑及吸附劑處理效率及副產物，以及三種不同處理設備的經濟成本評估。實驗結果顯示：LPCVD 製程尾氣經霍氏轉換紅外光(FourierTransform Infrared Spectroscopy FTIR)，其尾氣成份主要是SiF4、HCl、HF、及CO，經由三種不同吸收、吸附劑(AC、AC-OH及FeOOH)對前端氣體之去除效率皆＞99％，FeOOH 吸收劑所產生的副產品分析濃度為N.D。
參考文獻1. 余榮彬 ‘半導體工業全氟化物排放控制技術與機會 ‘TSIA, 19982. 余榮彬 ‘第七屆國際半導體安全衛生環保研討會報’, 2000/09/30
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1 comment:
ok.
但參考文獻大少.
--Chuen-Jinn Tsai
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